在2025年IEEE VLSI研讨会上，海力SK海力士初次披露了未来30年的年D能路DRAM技能发展蓝图 
，提出经过笔直栅极结构（4F² VG）和3D堆叠技能打破制程瓶颈。技聚集D架首席技能官Cha Seon Yong指出 ，线图跟着传统平面架构迫临物理极限，构立公司计划在10nm以下节点选用4F² VG渠道，海力该技能经过笔直布局单元面积缩减至传统结构的年D能路四分之一，结合混合键合工艺
，技聚集D架可完成更高密度与能效。线图

针对3D DRAM本钱争议，构立Cha Seon Yong着重技能创新将平衡层数添加带来的海力经济性应战。此次路线图凸显了SK海力士在内存技能可继续演进中的年D能路前瞻布局
，为职业应对摩尔定律放缓供给了新思路。技聚集D架

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